梁冬梅, 黄 意, 陈 亮, 曾凡菊, 孙光宇, 荆 涛

(1. 凯里学院 理学院, 贵州 凯里 556011; 2. 凯里学院 大数据工程学院, 贵州 凯里 556011; 3. 贵州师范学院 物理与电子工程学院, 贵州 贵阳 550018)

早在19世纪50年代，SiF2一直受到研究者的广泛关注.这些研究主要集中在SiF2气体的光谱检测，包括紫外吸收光谱、微波光谱和红外光谱的检测[1-4].由于制备SiF2气体的原料短缺，SiF2气体的实验研究基本上没有.目前大多是关于SiF2气体的理论计算和模拟.例如，江文世等[5]计算了SiF2分子基态的结构与热力学性质.Helluy等[6]从实验和理论模拟上研究了氟硅化合物中Si和F原子的核磁共振光谱.赵俊等[7]研究了SiF2分子的势能曲线，韩晓琴[8]使用从头算的方法优化了SiF2分子的基态结构.但关于SiF2分子在外电场中激发态性质的研究还未见报道.在外电场的作用下，分子内的电子通过从外界吸收一定的能量，由较低能量的基态跃迁至较高能量的激发态，从而对其物理和化学性质产生了很大影响.

为了进一步探讨SiF2分子的激发态性质，本文使用和文献[7]相同的基组对SiF2分子进行研究.尽管文献[7]和文献[8]相比，文献[8]使用QCISD方法更能准确的描述SiF2分子的基态性质，但并不适合描述其激发态行为.因此，本文采用和文献[7]相同的方法进行下面一系列的计算，从而定性的描述SiF2分子激发态的性质，包括激发态能量、激发波长和振子频率等.进一步，为了更准确的描述SiF2分子基态和激发态的特性，本文沿y和z两个方向轴施加不同强度的外电场.首先……