卫静婷，黎 斌

广东开放大学(广东理工职业学院)工程技术学院，广东 广州 510091)

0 引言

GaN基发光二极管(LED)具有高亮度、高功率、体积小、寿命长、易于集成、适应外部恶劣环境等优点，近年来，已广泛应用于汽车照明前灯、户外显示器、液晶显示器背光源、各种手持电子产品、打印机等设备中[1].经过数十年的发展，LED在全球通用照明领域中扮演着越来越重要的角色，应用于该领域的产品主要限于大功率LED[2].众所周知，大功率芯片的驱动电流较大，而在大电流驱动下，会出现LED效率跌落(efficiency droop)的现象，造成这种现象的原因被归为以下几种机制：载流子注入效率低[3]，非辐射俄歇复合[4]，非辐射缺陷复合[5]，等等.具体原因仍待商榷，但是被归结为一点：有源区内的电流扩展不均匀.为了解决这个问题，国内外研究学者提出了高压LEDs，即将一个大尺寸LED芯片的外延层分割成数个LED芯粒，然后通过电极桥接的方式将这些LED芯粒串联起来[6-9].与传统的大功率芯片相比，在相同功率下，高压LEDs的工作电压高，驱动电流小，而且，高压LEDs可以降低功率损耗，提高电流在LED单元有源区内扩展的均匀性，进而改善器件性能.

高压LEDs的制备工艺中，将单颗LED芯片的发光区域分离成多个相互绝缘的LED芯粒的隔离工艺和LED芯粒之间的电极桥接工艺是影响高压LEDs性能的关键因素.有研究表明，LED芯粒之间的隔离槽的间距会影响到高压LEDs的出光效率[10-12].改变隔离槽的间距大小并未对高压LEDs的EL测试峰值产生影响，因为LED外延片……