朱少杰，王贵梅，王玉涛，王德昌，张志敏

(晶澳太阳能有限公司 ，邢台 055550)

0 引言

降本增效是晶体硅太阳电池产业化制备过程中的主要趋势。为了提升电池的光电转换效率，p型单晶硅片普遍采用选择性发射极－钝化发射极及背接触(SE-PERC)的技术路线；而硅片薄片化是晶体硅太阳电池降低成本的一种必然趋势，为了不影响电池的光电转换效率，目前电池产业化时的硅片厚度一般大于等于180 μm，硅片厚度减薄会对工艺配方、工装器具等提出新的要求。目前，光伏行业针对硅片厚度减薄对电池光电转换效率方面的影响的研究较为成熟[1]，但硅片薄片化对电池制备过程的影响也不容忽视。基于此，本文针对硅片厚度减薄对SE-PERC单晶硅太阳电池制备过程的影响进行了研究，以期通过有针对性的优化来保证采用薄硅片的SE-PERC单晶硅太阳电池制备过程的稳定性。

1 实验

1.1 实验仪器

实验过程中，湿法刻蚀减重数据由福迪威西特传感工业控制有限公司生产的型号为FL3445的电子天平进行测量，硅片背面抛光的微观结构采用奥林巴斯生产的型号为OLS5000-SAF的显微镜进行测试，采用管式PECVD工艺的SiNx薄膜的膜厚由系科光电科技(上海)有限公司生产的光谱椭圆偏振仪COSE进行测试。

1.2 实验设计

采用p型单晶硅片的SE-PERC单晶硅太阳电池的制备流程如图1所示。基于该工艺流程，使用相同硅料源，相同拉晶工艺，长、宽均为158.75±0.25 mm，但厚度分别为165 μm和180 μm的硅片，每种厚度的硅片投入5000片，然后收集不同厚度的硅片在采用湿法刻蚀工艺后的减重数据和采用管式PECVD工艺后SiNx薄膜的膜厚数据。……