贺家祥，何 新，罗世尚，张振福，杨俊波

(1.国防科技大学 军事基础教育学院，湖南 长沙 410073；2.国防科技大学 文理学院，湖南 长沙 410073)

半导体技术是当前最为重要的技术之一，用半导体制成的各种器件有着极为广泛的应用。不同的半导体器件，对半导体材料电学特性参数的要求不同。这些电学特性参数包括电阻率、载流子浓度、载流子迁移率等，其中电阻率是最直接、最重要的参数之一[1]。

测量半导体电阻率的方法有很多,包括二探针法、三探针法、四探针法、范德堡法等，其中直线四探针法具有设备简单、操作方便、精确度高等优点[2,3]。因此，国内众多高校开设了直线四探针法测量半导体电阻率实验，以使本科学员更好地理解与掌握半导体物理学、微电子学、电子科学与技术等课程的有关知识[4,5]。

众所周知，采用直线四探针法进行测量时，需要考虑边界修正[6]。对于具有圆形、长方形、正方形等规则外形的样品，边界修正方法和系数已有许多文献可参考[6-9]。然而，关于单一直边界对电阻率测量的影响及修正研究，鲜有报道。这方面的研究是很有必要的，有利于学员更清晰地认识边界影响，并加深对直线四探针法的理解。

鉴于此，本文对直线四探针法中直边界的影响及修正开展研究。通过切割硅片获得直边界，测量了切割前后相同点位的电阻率值，并分析测量点与边界距离减小所导致的电阻率变化，以便得到修正公式。通过实验研究，对边界效应导致的测量偏差有了定量、清晰的认识。……