何雅萍，贺玉成，2，周 林，2

(1.华侨大学 厦门市移动多媒体通信重点实验室，福建 厦门 361021；2.西安电子科技大学 综合业务网理论及关键技术国家重点实验室，陕西 西安 710071)

闪存作为非易失性存储方式的主流存储器，具有低耗能、良好可靠性、高密度存储等优势，已被广泛应用于便携式电子设备、嵌入式设备等存储部件。闪存数据通常受到电荷泄漏、单元间干扰、读/写干扰和数据保持噪声等影响[1]，可能发生删除、擦除、替换和移位等类型的错误，导致读取数据与原始数据不一致[2-4]。近年来，面向闪存设备的纠错编码技术已成为差错控制编码领域的一个重要研究方向，其中基于置换理论的等级调制编码技术可纠正闪存中的非对称错误，是提高闪存设备可靠性的一个有效途径[5-7]。

当某个闪存单元被破坏而无法读出所存储的电荷值时，在相应位置发生擦除或删除错误。若错误位置已知，则发生擦除错误；若错误位置未知，则发生删除错误。擦除或删除错误进一步分为两类：稳定错误和非稳定错误。在传统的分组等级调制模型中，通常假设闪存单元组中各个单元可能发生的擦除错误或删除错误相互独立，不会影响到其他单元的等级描述，这类错误称为“稳定错误”，要求不同等级对应的存储电荷值之间具有足够大的差值，同时要求各个单元的存储电荷值保持高度稳定，从而具备足够的抗干扰和抗噪声的能力。随着闪存容量不断增大和封装尺寸不断减小的技术发展趋势，为了降低实现成本，不同等级对应的存储电荷值之间的差值越来越小；……