陈晓勇 贾少雄 王颖麟 李 俊

（中国电子科技集团公司第二研究所，山西 太原 030024）

0 引言

低温共烧陶瓷（LTCC）技术作为多芯片组件（MCM）技术的重要分支，能够满足组件或者模块的小型化、集成化、轻量化和高可靠性的需求，被广泛应用于电子通信、雷达探测以及电子对抗等领域。鉴于金（Au）导体的优良导电性和稳定性，LTCC基板通常采用Au作为导体材料。为进一步降低LTCC基板加工材料成本，将银（Ag）引入LTCC导体材料体系，构成金银混合体系。但是，LTCC基板通常具有复杂的腔体结构，内层金属可以采用银导体，但外层仍然需要采用金导体。与全金体系相比，金银混合体系成本优势很有限。所以，如何降低LTCC基板的材料成本一直是制约LTCC技术应用及推广的瓶颈。

为解决化学镀镍浸金（ENIG）一直存在的“黑盘”问题，化学镀镍镀钯浸金（ENEPIG）被提出并验证有效。近年来，ENEPIG技术被引入LTCC行业，具体表现为：LTCC基板内外层电路均采用金属银作为导体，共烧后在银导体表面进行ENEPIG处理。该技术方案具备以下两个优点：

（1）在银导体表面镀覆Ni/Pd/Au镀层，能够有效防止银发生氧化和硫化；

（2）Ni/Pd/Au镀层具备与金丝/金带键合、锡铅焊和金锡共晶焊的能力，是LTCC领域理想的“万能金属层”。

与金银混合体系相比，LTCC全银基板ENEPIG方案能够大幅降低LTCC材料成本[1][2]；同时具备多种功能特性的Ni/Pd/Au镀层简化了LTCC浆料体系结构，避免了不同类型浆料间共烧带来的失配问题，具有明显的价格优势和工艺优点。近年来，国内关于ENEPIG的研究主要集中在化镀溶液和工艺参数上，对LTCC表层银导体烧结形貌以及LTCC基体的耐酸碱腐蚀性鲜有报道[3]-[8]。……