平 晨，贾志刚，董海亮，张爱琴，许并社,3

(1.太原理工大学，新材料界面科学与工程教育部重点实验室，太原 030024；2.太原理工大学轻纺工程学院， 太原 030024；3.陕西科技大学，材料原子·分子科学研究所，西安 710021)

0 引 言

GaN基蓝光LED技术已极为成熟，并实现商业化，已在照明、显示等领域得到广泛应用[1-3]。蓝光LED能够实现80%高外量子效率(external quantum efficiency, EQE)[4]。然而，当发射波长红移至绿光波段时，其EQE随波长的增加而急剧下降[5]，这就是所谓的“Green Gap”问题[5-7]。导致“Green GaP”问题的主要原因有两个：(1)InGaN和GaN之间的晶格失配以及铟相分离导致晶体质量下降[8]; (2)InGaN/GaN多量子阱中的强极化效应，也被称为应变诱导压电极化场引起的量子限制斯塔克效应(quantum confined Stark effect, QCSE)[9]。QCSE减小了电子和空穴波函数之间的重叠积分，导致辐射复合效率下降[10]，降低了内量子效率。研究人员已经提出了许多解决该问题的方法。例如，使用量子点[11]等纳米结构[12]代替传统的量子阱结构，或者使用交错型量子阱结构[13]。2015年，Jiang等[6]采用了复合量子阱结构，在绿光范围内，随着In组分的增加，内量子效率得到提升。该复合结构中缺陷密度降低，晶体质量得到提高，并且具有更强的载流子局域化效应，可以进一步防止载流子被非辐射复合中心俘获，从而提高了内量子效率。在之前的研究中发现，由于高密度V型坑的形成，样品表面形成了明显的三维岛状形貌，成为一种量子点/量子阱(QD/QW)复合结构，有效提高了内量子效率[14-16]。

在本文中，通过更改势垒层的生长温度(S1: 830 ℃;S2: 840 ℃;S3: 850 ℃)，对量子点/量子阱复合结构进行优化，提高了其内量子效率。……