王欣月，张兆诚，黎智杰，何婉婷，温锦秀，罗坚义，唐秀凤，王 忆

(1.五邑大学应用物理与材料学院，江门 529020；2.五邑大学，柔性传感材料与器件应用技术研究中心，江门 529020)

0 引 言

透明导电氧化物(TCO)薄膜被广泛应用于显示、集成半导体激光器、LED和太阳能电池等光电子领域[1]。目前已商业化的TCO薄膜主要是n型薄膜[2]，其主要特点是：(1)较高的电导率；(2)禁带宽度相对比较大；(3)在可见光有很强的透射率；(4)在近红外区域有很强的反射率[3]。氧化铟锡(ITO)薄膜因其具有硬度高、耐磨性好、理化性能稳定、环境适应性强、透射率和反射率较高等优点，不仅在平板液晶显示、透明电磁屏蔽、火车飞机玻璃等方面具有广泛应用[4-5]，另外也被用于透明加热元件、抗静电、电磁波防护膜、太阳电池之透明电极、防反光涂布及热能反射镜、光学及光电装置等[6-8]。

制备ITO薄膜的方法主要有脉冲激光沉积法(PLD)、磁控溅射法、分子束外延法(MBE)、喷雾热分解法、化学气相沉积法(CVD)、溶胶凝胶法等[9-11]。薄膜制备过程中，影响ITO薄膜结晶质量和性能的主要因素有基底温度、溅射功率、气压、时间和氩氧比等[12]。王秀娟等[13]利用射频磁控法低温制备ITO薄膜，研究了氩氧比、功率、压强、沉积速率以及靶基距对ITO薄膜的结构和光电特性的影响。结果表明，氩氧比为0.1/25，功率210 W，压强0.2 Pa，靶基距2.0 cm和衬底温度为100 ℃的沉积条件下制备的ITO薄膜电阻率为7.3×10-4Ω·cm，可见光范围内平均透过率为89.9%。李晓晖等[14]采用磁控溅射在聚对苯二甲酸乙二酶酯(PET)衬底上制备ITO薄膜，分析研究了工艺参数对薄膜光电特性的影响。……