孙新宇，李会鹏，赵 华，蔡天凤

（辽宁石油化工大学 石油化工学院，辽宁 抚顺 113001）

随着科学技术的快速发展，人们不得不面对日益严重的环境污染和能源短缺问题[1-2]。半导体光催化技术由于具有清洁性和可持续性，自问世以来就受到人们的广泛关注[3-5]。TiO2作为最具代表性的光催化材料，具有稳定性高、制备简单、成本低廉等优点，但依旧存在两个关键问题限制了它的应用：一方面较宽的带隙带来了低的可见光吸收率，另一方面高的光生电子复合率限制了它的催化活性[6]。虽然人们采用了包括助催化剂负载[7]、缺陷控制[8]、构建异质结[9]等方法来增强TiO2的光催化活性，但始终达不到实际生产的需要。在新开发的光催化材料中，铋的金属氧化物（如Bi4Ti3O12，

Bi2O3，BiFeO3，BiFeWO6，BiVO4，Bi2WO6，Bi2MoO6，Bi2Fe4O9，Bi5FeTi3O15，Bi4Ti3O12等）、硫 化 物（Bi2S3）和 卤 氧 化 物（BiOF，BiOI，BiOBr，BiOCl）被视为很有前景的新型材料[10-15]。其中，卤氧化铋（BiOX，X=Cl，Br，I）因为优秀的光电性质而受到更多的关注。BiOX的带隙普遍小于传统的光催化材料，且随着卤素原子序数的增加，带隙逐渐减小，最小的BiOI带隙只有大约1.7～2.1 eV，这表明它们对于可见光的吸收效率远远超出一般光催化材料。但随着带隙的减小，随之而来的是光生电子复合率的提高，这大大影响了BiOX材料的光催化活性，所以为了提高性能，必须对其进行改性处理。

本文对BiOX材料的晶体和电子结构进行了介绍，分析了该材料光催化的一般机理，对于近年来BiOX的改性措施进行了总结与归纳，最后对其发展进行了展望。

1 BiOX材料的晶体结构和电子结构

Bannister等[16]报道了……