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AuSn20焊料在集成电路密封中形成空洞的研究*

2021-06-09马艳艳赵鹤然田爱民李莉莹曹丽华

电子与封装 2021年5期
关键词:焊缝

马艳艳,赵鹤然,田爱民,康 敏,李莉莹,曹丽华

(1.中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳 110032;2.沈阳农业大学信息与电气工程学院,沈阳 110866;3.中国科学院金属研究所,沈阳 110016)

1 引言

AuSn20是一种常见的无铅焊料,常用于集成电路的芯片粘结和陶瓷外壳密封。当Au和Sn的质量分数分别为80%和20%时,在278℃的较低温度下即可完成共晶反应,也不需要助焊剂[1-2]。这种焊料导热率和剪切强度很高,在电子封装中常用作芯片的焊接材料,又以其较高的稳定性、耐腐蚀性和润湿性,在高可靠的气密封装中应用广泛[3-4]。

空洞是一种较为常见的密封质量隐患,它的存在会使产品的封盖强度和气密性降低,随着服役时间的延长,极易诱发多种致命的失效模式。高可靠器件对密封空洞控制有严格要求。AuSn密封过程复杂且伴随着空洞的生成和消散,在反应的不同阶段空洞产生的机理并不唯一。空洞形成的影响因素有多种,包括温度曲线、焊接压力、原材料表面状态、焊料环设计、焊接气氛等[5-6]。此外,柯肯达尔效应是化合物间形成空洞的一个重要原因[7-8]。

针对空洞的形成问题,文章阐述了AuSn20焊料在高可靠陶瓷外壳密封过程中的反应过程,开展了空洞的形貌观察,讨论了几种典型空洞的微观形貌、形成机理及抑制措施。

2 AuSn20焊料密封反应过程

AuSn20焊料密封反应过程发生在盖板(可伐合金)、AuSn20焊料环、陶瓷管壳之间,其结构示意图如图1所示。

图1 密封结构示意图

AuSn20焊料工艺曲线包括升温AB、保温BC、升温CD、保温DE、降温EF 5个阶段,如图2所示。……

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