王涛　罗文广

摘  要：针对传统的控制策略动态性能不足，电压达到稳态值较慢，受到负载切换扰动较大及SiC mosfet反向导通压降较大等缺点，提出了一种对CLLC谐振变换器的自抗扰控制策略，在无需对CLLC谐振变换器精确建模的情况下，建立扩张状态观测器和设计PD控制器，将副边设计为有源整流桥，以提升动态响应性能，降低超调量，减小超调时间，减少谐波含量，在不增加额外器件的情况下减小损耗，进一步提升变换器的功率密度，降低了二极管压降对于整流电压的不利影响，对输出电压进行参数优化.设计了一个输入为350 V，输出为300 V，功率3 kW的双向全桥CLLC谐振变换器，以罗姆公司sct3060al-e SiC mosfet的数据为例，运用该方法通过simulink对变换器进行正向、反向仿真验证.结果表明，与传统控制策略对比仿真，其超调量从3.3%降低至1.6%，且超调时间更短，系统谐波含量更少.验证了对于CLLC谐振变换器采用自抗扰控制相比于传统控制策略具有超调量小、调节时间短、输出电能质量好的优点.

关键词：CLLC谐振变换器;自抗扰控制;SiC器件;软开关

中图分类号：TM46DOI：10.16375/j.cnki.cn45-1395/t.2021.02.006

0引言

随着科技的发展，在电力电子领域，对功率变换器的功率密度、转换效率、动态性能等要求不断提高[1-3].目前将新兴的宽禁带半导体材料应用于功率变换器成为热点话题.宽禁带半导体材料优越的特性为电力电子技术发展带来了新的提升.相较于硅材料，碳化硅材料具有更高的电子饱和速度、更低的功率器件功率损耗，且碳化硅材料……