杨茜

摘要：半导体技术的发展需要以半导体材料作为支撑，而在不断的发展过程中，半导体材料先后经过了多次演变，当前被广泛应用的是第三代半导体材料，其典型代表包括氮化镓（GaNg）、氧化锌（ZnO）、金刚石以及碳化硅（SiC），相比较前两代材料，第三代半导体材料的禁带宽度更大、导热率更高、抗辐射能力更强，能够实现更好地电子浓度以及运动控制。本文以SiC为例，对其晶体生长设备技术及研究进展进行了分析和讨论。

关键词：第三代半导体材料;SiC;晶体生长设备;技术

前言：半导体材料发展过程中，先后经历了以硅（Si）为代表的第一代，以砷化鎵（GaAs）为代表的第二代以及以碳化硅（SiC）为代表的第三代，对比第一代和第二代半导体材料，第三代半导体材料SiC的性能更加优越，应用领域更广、产业关联性更大，被广泛的应用在移动通信、智能电网、太阳能、新能源汽车等领域，对于社会经济的稳定健康发展有着非常积极的作用。

1 SiC晶体的特性

SiC本身是由石英砂、煤焦、木屑等在电阻炉内高温冶炼得到，是一种无机物，自然界中同样存在。SiC具有稳定的化学性能，导热系数高，热膨胀系数小，可以制作高级耐火材料，耐热性好，强度高且自重轻，有着良好的节能效果。低品级SiC（SiC含量85%左右）具备良好的脱氧性，可以加快炼钢的速度，方便对钢材的化学成分进行控制，促进其质量的提高平。不仅如此，SiC还可以被应用到电热元件硅碳棒的制作中。

SiC的应用领域体现在几个方面：分别是功能陶瓷、高级耐火材料、磨料、冶金材料，当前，SiC粗料已经得到了大量供应，但是其本身并不属于高新技术产品，技术含量较高的纳米级SiC粉体在短时间内，依然无法实现规模化生产。……