■文/张亮亮 李瑞（首都科技发展战略研究院）

第三代半导体具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等多项优越性能，是支撑信息、能源、交通、国防等重点领域升级发展的重点核心材料和电子元器件，已成为全球半导体技术和产业竞争新焦点。“十三五”以来，科技部、工信部、国家发改委等多个部委出台第三代半导体创新政策和产业政策，北京、广东、江苏等多个省份也纷纷加强布局，其中，北京自2012年起就开始研发布局，且拥有国内发展第三代半导体产业最为丰富的要素资源，迄今保持先发优势。目前，北京第三代半导体材料及应用联合创新基地落成，已初步形成碳化硅材料及器件研发、生产、应用等各环节相对完整的产业链，但北京第三代半导体产业发展在基础研究、成果转化与产业化、人才支撑等方面仍面临诸多问题与挑战。

一、北京第三代半导体产业发展面临的突出问题

第一，基础研究大大滞后于产业应用步伐。鉴于第三代半导体材料的优越性能，其在短波发光、激光等光电子器件和高温、高频、大功率、高压的电力电子器件领域应用前景广阔，目前，第三代半导体产品正在加速推向市场。但总体来看，第三代半导体在半导体领域的市场渗透率仍然偏低，其中一个重要的原因就是基础研究跟不上市场应用的步伐。第一代和第二代半导体材料经过几十年的发展，基础研究已经能够很好地支撑产业发展，并形成正向循环。……