提高微米金刚石聚晶薄膜的场发射点密度研究*
2021-03-11高金海崔颖琦张洁李成刚张兵临
电子器件 2021年6期
高金海 崔颖琦张 洁李成刚张兵临
(1.郑州师范学院物理与电子工程学院,河南 郑州 450044;2.郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,河南 郑州 450052)
由于固体表面存在势垒,电子通常无法克服势垒而逸出。因此固体内部电子只有获得额外的能量如热能、光能等,才能克服表面势垒而逸出。从电子获得能量方式的不同,电子发射主要有四种形式:热电子发射、光电子发射、次级电子发射和场致电子发射。场致电子发射简称场发射,它不需过多外加给电子能量,仅在外加强电场的情况下,使势垒的最高点降低,势垒的宽度变窄,电子通过隧道效应即可获得电子发射,因此它具有应用电压低,反应时间短,发射效率高等优点。它可以广泛地应用于扫描电子显微镜、透射电子显微镜、俄歇电镜、隧道显微镜、场发射显示器等精密电子仪器中[1-5]。目前场发射阴极材料要么成本较高、要么发射性能较差,因此场发射器件的应用还不是很广泛。由于金刚石薄膜具有稳定性高和负电子亲和势等优点,所以它作为场发射阴极材料受到广泛的研究[6-9]。我们利用微波等离子体化学气相沉积法(Microwave plasma chemical vapor deposition,MPCVD),制备出了场发射性能较好的微米金刚石聚晶薄膜[10-13]。
1 实验
利用直流磁控溅射装置在纯平陶瓷上,镀一层金属钛,以镀有金属钛层的陶瓷为衬底,用金刚砂充分打磨,去离子水超声清洗后,放入MPCVD 腔中,先后三次调整不同的参数,制备出三种不同的微米金刚石聚晶碳膜。……
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