提高多芯片拼接线性度的新方法
2021-03-10高慧莹
电子工业专用设备 2021年1期
高慧莹,左 宁,艾 博
( 中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京100176)
随着光学探测技术的发展,感光元件的面积越来越大,精度越来越高,组成感光元件的芯片拼接尺寸越来越小、数量越来越多,尤其当成像尺寸到达15 000 像元的时候,不仅对芯片拼接的单行直线度要求越来越高,且对行与行之间的平行度要求也提出了严格的要求。传统的通过CCD 观察、手动拼接已远远不能满足要求,迫切需要进行自动拼接、在线测量,以保证芯片拼接的质量及效率。
1 芯片集成拼接工艺流程
芯片集成拼接方法如图1 所示,主要是为了保证芯片拼接后每一行的直线度和行与行之间的平行度。

图1 芯片集成拼接示意图
芯片拼接工艺流程如图2 所示。拼接主要环节为五步:
(1)通过CCD 观察进行第一片的拼接,并测量拼接后的芯片上两个特征点位置坐标;
(2)根据第一片拼接的两个特征点坐标,结合拼接允许误差,确定第二片的拼接位置并进行第二片自动拼接,并进行第二片芯片的特征点位置测量;
(3)根据第一片、第二片四个特征点拼接位置,结合拼接误差确定第三片芯片的拼接位置,并进行测量,以此类推,确定同一行第m个芯片的拼接位置并进行拼接和测量;

图2 拼接流程示意图
(4)根据第一行的芯片拼接特征点坐标,进行线性度拟合,确定第一行芯片拼接的直线度,并根据直线度允许误差,确定第二行第一片的芯片拼接位置,并进行拼接;
(5)按照第二步、第三步的方法,完成第二行的芯片拼接并测量直线度。……
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