翁梦蔓，余文涛，卢小闯，李清玲，刘 佳，刘屹东，2，闵永刚，2

（1.广东工业大学 材料与能源学院，广东 广州 510006；2.东莞华南设计创新院，广东 东莞 523808）

0 引言

随着科技的高速发展，电子信息产品趋于结构紧凑化、运行高效化，普遍面临发热量高、芯片耐高温性差、散热不充分等问题，大量积累的热量将会严重影响电子器件的正常工作及系统的稳定性。为了解决此类问题，人们开发出以散热系数高、质轻的碳基材料为主的导热材料。其中，石墨膜由于具有优良的导电性、导热性、轻薄性，在微电子封装和集成领域的应用表现出明显优势[1-2]。

聚酰亚胺（PI）作为一种特种工程材料，已广泛应用于航空、航天、微电子等领域[3-6]，被称为“解决问题的能手”。早在20世纪70年代，A BÜRGER等[7]将PI膜经2 800～3 200℃的高温处理得到了高定向的石墨膜，其后众多学者对PI膜的碳化-石墨化行为和机理进行了深入研究。PI膜制备的石墨膜虽然性能优于大部分导热材料，但仍存在导热性待提高、不耐弯折等问题。在此基础上学者们探究了影响石墨膜性能的因素并对其单方面性能（导热性、导电性）的提高做了深入研究。我国虽然在PI膜制备石墨膜这方面的发展较晚，但近几年来在学术研究和专利布局方面都有很大突破。本文主要对PI基膜制备高导热石墨膜的研究进行总结。

1 石墨膜的制备研究

目前，制备高导热石墨膜主要有4条技术路线：膨胀石墨压延法[8-9]、氧化石墨烯（GOx）还原法（溶液化学法）[10-11]、气相沉积（CVD）法[12-13]、PI类薄膜碳化-石墨化法。……