北京京东方显示技术有限公司 党亮英 包远福 徐习亮 李素哲 王 丹 蔡 婷 王 超

液晶产品的质量会受到关键质量特性的影响，稳定的过程质量特性能提升产品品质。本文讲述了TFT-LCD产品的非金属层GI层的特性，GI层厚度(简称：GI THK)的工艺过程波动，及如何应用控制图精准识别和定位异常波动。分析过程基于流程出发，基于工序特点，通过对大量数据的深入挖掘，充分应用控制图等统计工具进行流程诊断，来达到查找过程波动差异源的目的。

TFT-LCD的关键特性为Ion，通过数据分析表明主要受到Channel层和GI层的影响，通过主效应图（见图1）可看到对应关系。为了确保产品特性的稳定，需对关键膜层厚度进行管控，保证过程稳定。批量重复生产不可避免的存在波动，我们需要了解和识别过程中的差异源，利用统计工具进行精准识别，为针对性改善指明方向。

图1 主效应图

术语说明：GI层沉积。

GI是TFT中，栅极金属和半导体Si之间的绝缘层，

通常为SiNx/SiOx称之为Gate Insulator栅极绝缘层。

1 核心工艺流程图绘制

本文涉及的TFT基板主要工艺步骤如图2所示。

图2 TFT基板主要工艺步骤

GI工艺是TFT基板形成中非常重要的部分，GI膜厚（GI THK）目标为####Å，首先经过FGI沉积形成****Å的厚度，此工序后有测量设备可测出FGI的厚度；再经过Multi沉积形成^^^^ Å的厚度，此时对两个小工序的累计厚度进行测量，至此完成了GI工艺的膜厚沉积。

2 GI工艺流程设备单元

GI工艺由两个工序构成，其中FGI工序有5台生产设备，每台设备内部有5个独立的单元即Chamber，则FGI工序有25组chamber。……