王淼源

（中国华电科工集团有限公司，北京 100160）

为了不断提高晶硅电池的转换效率和发电量，目前多数企业都在研发相关的技术，其中最前沿的技术主要有IBC、HIT、MWT和TopCon技术等。为了达到最高的性价比，现阶段可以实现量产且主要推行的是叠瓦、叠焊、拼片、黑硅技术、双面电池（N型、P型）、多主栅技术、半片技术、大电池片技术以及PERC技术等。

1 IBC技术

叉指状背接触电池（Interdigitated Back Contact，简称“IBC”），最早是由Schwartz和Lammertz在1975年提出来的，它将PN结、基底与发射区的接触电极以叉指形状全部做在电池背面，完全消除了前表面栅线的遮光，同时不需要前表面减反射结构对电极接触的影响，为实现更低反射率提供了更大的优化空间和潜力。由于全背面电极不用考虑对电池光学方面的影响，因此设计时可以更加专注于提高电池的电性能。

2 HJT技术

硅基异质结（heterojunction）电池（如图1所示），采用宽带隙的氢化非晶硅薄膜作为窗口层或发射极，单晶硅或多晶硅作为衬底，在窗口层和衬底之间插入1层本征层，再以氢化非晶硅薄膜作为表面钝化层。与传统晶硅电池相比，硅基异质结电池具有更高的开路电压和光电转换效率[1]。目前其量产效率可达23%。2019年全球HJT已有产能约3 GW，预计2020年将有4-7GW以上的HJT新增产能投放。

图1 HIT电池技术

3 MWT技术

金属穿孔卷绕技术（Metallization Wrap Through，简称“MWT”）。如图2所示，将位于正面发射极的接触电极穿过硅片基体引导到硅片背面，达到减少遮光面积的效果。工作人员仅需要对现有硅基电池生产线的量产平台进行简单改造，即增加一道激光穿孔步骤，就可以进行生产。……