苑泽伟，唐美玲，郎玲琪，台立刚，高兴军

(1. 沈阳工业大学 机械工程学院，沈阳 110870；2. 辽宁石油化工大学 机械工程学院，辽宁 抚顺 113001)

在一些功率器件中，衬底材料需要保证一些基本性能，如较宽的能带隙、优异的导热性、较高的击穿电场和良好的化学稳定性等.因此，作为第三代半导体材料，单晶碳化硅(4H—SiC)受到了高度关注，被广泛应用在高压、高温、高功率、高频率等电子领域[1].

超光滑、无损伤的晶片表面是实现单晶碳化硅上述应用的必要条件.然而，碳化硅高硬度和化学惰性为纳米表面抛光带来了诸多挑战.为了克服碳化硅加工面临的难题，一些学者研究了化学辅助机械的加工方法，如化学机械抛光[2-4]、电化学机械抛光[5-6]和等离子体辅助抛光[7-9]等.这些抛光技术面临着材料去除率低、试剂易挥发、污染环境等问题.光催化辅助抛光是以化学机械抛光为基础、结合光催化氧化技术提出的，借助二氧化钛在光催化条件下产生的具有强氧化性羟基自由基·OH氧化碳化硅表面，并借助磨料的机械运动去除改性层[10].化学反应在光催化辅助抛光工艺中起着非常重要的作用，化学反应的主要反应物是抛光液中的羟基自由基·OH和碳化硅晶片.在光催化辅助抛光碳化硅的过程中，碳化硅表面被氧化剂·OH氧化，形成较软的氧化膜.在磨料的机械作用下，可去除碳化硅氧化膜.此外，·OH具有氧化能力强、无毒和无金属离子污染等优点，是一种很有发展前景的氧化剂.

运……