徐 峰

（扬州大学物理科学与技术学院，江苏 扬州 225009）

1 MicroLED 显示技术应用领域

20世纪90年代，日本日亚科学家中村修二成功制备出商用高亮度蓝光GaN 基LED，标志着LED 全面商业化的开始。LED 已被广泛的应用在照明、紫外消毒、显示背光、三原色全彩显示、红外探测等领域。随着显示技术的飞速发展，LED 器件也逐渐发挥越 来越 重要的作用。目前，主流显示技术主要包括：液晶显示（LCD）、有机发光二极管（OLED）、微缩矩阵化发光二极管（MicroLED）显示等，其中，MicroLED 显示被认为是将颠覆传统的新一代显示技术，已成为LED 产业领域新的增长和爆发点。MicroLED 显示相比于其他显示技术具有自发光、高对比度、高分辨率、高可靠性、寿命长、功耗低等诸多优势。MicroLED 在大尺寸电视墙显示器、汽车抬头数字显示、智能手表、柔性屏幕、增强及虚拟现实等领域具有巨大的市场应用前景，同时，5G 技术结合8K 显示将会是MicroLED 在5G 时代浪潮下的最新应用趋势。

2 MicroLED 显示技术发展历程

MicroLED 显示技术是基于常规LED 显示技术基础上发展而来。1999年，Jin 等人首次通过感应耦合等离子体（ICP）干法刻蚀工艺制备了直径为12μm、间距为15μm 的MicroLED 阵列器件，研究发现相比于常规LED 器件，MicroLED 阵列可以承受更高的工作电流密度，这可以归因于MicroLED 器件电极接触的方式及小尺寸器件更有效的电流扩散效应，器件在8 mA 驱动电流下的发光功率达到20μW，首次验 证了MicroLED器件在显示领域的适用性。2006 年，Liang 等人采用湿法刻蚀工艺结合衬底减薄技术、介质 桥技术成功实现了MicroLED 器 件阵列的光电隔离，制备出尺寸为16×16μm2的AlGaInP 基橙光LED 微显示器件。……