张慧龙，张木华，卢红伟，，王怡人，杜建欣，陈升，潘力群

(1.杭州电子科技大学材料与环境工程学院，杭州 310018； 2.杭州电子科技大学理学院，杭州 310018；3.浙江中财型材有限责任公司，杭州 310018)

高介电材料因其在电气和电子行业中的重要应用而受到越来越多的关注，包括电应力控制、高能量存储设备和嵌入式电容器等。按照材料的特点，介电材料可分为无机介电材料和高分子介电材料两大类。其中钛酸钡(BT)、钛酸铅锆(PZT)等无机介电材料虽然具有高介电常数，但因其耐击穿强度低、介电损耗高、烧结温度高、生产能耗高、脆性高、加工不方便、寿命和稳定性差等原因，限制了其广泛应用。而高分子聚合物材料虽然具有较高的韧性和极高的耐击穿能力，但其相对较低的介电常数也限制了聚合物材料的使用范围。自1994 年T.J.Lewis[1]提出纳米电介质的概念以来，以无机介电材料和有机高分子聚合物进行掺杂，制备电介质复合材料成为提高材料介电性能的有效方法。聚偏氟乙烯(PVDF)基聚合物是目前应用最广泛的有机聚合物电容器介电材料，具有介电常数较高、击穿强度高和耐化学腐蚀性能好等优点。某些PVDF 基共聚物，如聚偏氟乙烯–三氟乙烯(PVDF–TrFE)、聚偏氟乙烯–三氯乙烯[P(VDF–CTFE)]和聚偏氟乙烯–三氟乙烯–氯氟乙烯[P(VDF–TrFE-CTFE)]等经常被用作基体树脂制备纳米电介质材料。到目前为止，许多具有优异性能的PVDF 基薄膜电容器介质复合材料被成功制备出来。

静电电容器，其内部结构如图1 所示。通过电场下的电极化可以使电介质材料存储和控制电荷，具有很好的充放电速率以及很高的功率密度，逐步成为电气和电子设备中必不可少的能量存储器件[2–3]。……