超宽带矩形微同轴滤波器制备及性能分析
2020-09-17汪郁东赵广宏陈春明陈青松谷胜明
遥测遥控 2020年3期
汪郁东,赵广宏,陈春明,陈青松,谷胜明,许 进
(1 北京遥测技术研究所 北京 100094 2 西北工业大学电子信息学院 西安 710029)
引 言
在信息化发展需求的推动下,现代雷达通信、高精度定位以及卫星导航通信系统等都对高性能射频微系统提出了更高的要求,同时超宽带系统以其功耗小、安全性高、不易产生干扰和数据传输速率快等优点成为近年研究热点。在超宽带射频微系统中滤波器作为选频和去噪的重要器件,在工作带宽大、频段高的基础上,还需要满足带内插损低、带外抑制度高等条件。传统的超宽带滤波器在工作带宽及使用频段上都有所限制,不能适用于超宽带射频微系统的场合。
随着三维工艺技术的发展,三维射频器件的集成得到了进一步的拓展。目前,三维集成工艺主要包括低温共烧陶瓷LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic)及硅通孔TSV(Through Silicon Via)等,多采用微带线、带状线、共面波导和介质集成波导等平面传输线形式,再利用陶瓷或硅基板等进行多层图案和层间互连结构制备,从而得到具有宽带特性的滤波器结构。一方面,微带线等开放式传输线在集成度较高时,线间耦合性较大;另一方面,基底介质在高频段时损耗越发明显。因此,目前的传统三维集成工艺难以实现毫米波乃至太赫兹频段宽带滤波器的高传输效率和功率容量,不能满足射频微系统对高性能超宽带滤波器的要求。
近年来,在美国国防部先进研究计划局(DARPA)的支持下,以美国Nuvostronics 公司为首,并联合科罗拉多大学博尔德分校等高校开展一种基于MEMS 工艺的全金属结构增材制造技术的研究——PolyStrata 工艺。……
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