张译文，刘 航，冯立强

激光脉宽对H2+谐波辐射的影响

张译文1，刘 航1，冯立强2

（1.辽宁工业大学 化学与环境工程学院，辽宁 锦州 121001；2.辽宁工业大学 理学院，辽宁 锦州 121001）

理论研究了不同激光脉宽对H2+谐波辐射强度的影响。结果表明：在短脉宽激光驱动下，H2+谐波辐射主要来源于激光下降区域；而在长脉宽激光驱动下，激光上升区域对H2+谐波辐射作用增大，并起到主要贡献作用。理论分析表明，H2+进入电荷共振增强电离区域的差异性是产生上述现象的根本原因。

高次谐波；激光脉宽；谐波辐射强度；电荷共振增强电离

强激光脉冲照射双原子分子可以产生非常复杂的动力学。在过去10年中，强场物理中的相关过程和现象受到了广泛的关注。例如，电荷共振增强电离、高次谐波、阈上电离等[1-4]。其中，高次谐波作为获得孤立阿秒脉冲的唯一途径更是得到了许多关注[1-2]。

原子辐射谐波的过程可由半经典三步模型来描述，即电离-加速-回碰[5]。但是对于分子体系来说，以最简单H2+体系为例，电离过程非常复杂，可分为直接电离区域、电荷共振增强电离区域和解离态电离区域[6]。并且由于体系存在2个原子核，因此加速电子既可以与原母核发生回碰也可以与相邻原子核发生碰撞，进而产生超过阈值的谐波截止能量[7]。同时由于双原子核的存在H2+谐波辐射会呈现不同的空间分布情况[8]。并且由于核运动的影响，H2+谐波光谱呈现频移的现象。这一现象主要表现为，谐波光谱在激光上升区域呈现蓝移；……