佟晓明

摘  要：化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing， CMP）清洗的目的就是把CMP中的残留粒子和金属沾污减少到可接受的水平，后清洗是CMP加工的重要部分。文章通过对全球专利申请量、专利申请在不同国家的分布、重要申请人分布进行分析，概述了CMP后清洗技术的发展脉络，为日后CMP后清洗技术的发展提供了借鉴。

关键词：CMP;清洗;专利申请

中图分类号：TN305.97      文献标志码：A         文章编号：2095-2945（2019）26-0020-02

Abstract： The purpose of chemical mechanical polishing（CMP） cleaning is to reduce residual particles and metal contamination in CMP to an acceptable level. Post CMP cleaning is an important part of CMP processing. This paper summarizes the development of post CMP cleaning technology by analyzing the global application volume， the distribution of patent applications in different countries， the distribution of original national applications， and the distribution of important applicants， in order to provide a reference for the development of post CMP cleaning technology.

Keywords： CMP; cleaning; patent application

1 CMP后清洗

晶片經化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，简称CMP）加工后，会在工件上残留有少量的浆料，需要通过CMP的后清洗（其CMP加工的重要部分）将其清除，目的是把CMP中的残留粒子和金属沾污减少到可接受的水平。因而为了确保得到进一步金属化所需要的无缺陷无玷污晶片表面，CMP后清洗工艺是必需步骤[1]。目前因抛光后表面清洗不干净引起的电子器件产品合格率会降低，清洗质量的高低直接影响到先进电子产品的性能、可靠性和稳定性[2]。随着器件特征尺寸的持续减小及CMP应用领域的扩大，将会出现新的介质材料，研浆的组成也会出现相应的变化，因而必将给后清洗工艺提出更多的课题[3]。

2 CMP后清洗的申请情况

2.1 后清洗在全球的申请情况

如图1所示，是全球近28年来带化学机械抛光清洗装置的专利申请量，其可以分成三个阶段。第一阶段是该装置的萌芽发展期（1997年以前），在这个阶段具有代表性的IBM公司在1992年3月16日提交的名为通过CMP技术使晶圆平坦化，旋转的抛光垫是浸润在抛光浆材料中，经过CMP抛光后，每个晶圆会依次被放置在CMP设备的收纳盒中，当全部浸没入去离子水中，整个收纳盒中的晶圆被取出并放置在独自的清洗机中实现清洗，清洗过程是采用多槽浸泡化学湿法清洗技术。……