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横向双锥快速生长35%DKDP晶体的研究

2019-05-21蔡序敏祁英昆赵元安胡国行李国辉胡子钰郑国宗

人工晶体学报 2019年4期
关键词:生长

蔡序敏,祁英昆,赵元安,胡国行,李国辉,胡子钰,4,郑国宗

(1.中国科学院福建物质结构研究所,福州 350002;2.中国科学院大学,北京 100049;3.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800;4.福州大学化学学院,福州 350116)

1 引 言

DKDP晶体是磷酸二氘钾的简称,磷酸二氢钾中氢原子被氘原子取代而形成磷酸二氘钾,是一种性能优良的非线性光学晶体[1]。随着激光惯性约束核聚变(ICF)研究的深入,KDP与DKDP晶体作为电光开关和频率转换器在ICF发挥着不可替代的作用,DKDP晶体与KDP晶体相比,横向受激拉曼散射效应低,激光在传播过程中的光损失会降低[2-6]。鉴于ICF工程研究的深入,对晶体的性能要求越来越高,DKDP晶体的需求也越来越大。DKDP晶体稳定相有四方相和单斜相,单斜相晶体无利用价值,而单斜相作为稳定相,在DKDP晶体的生长过程中容易出现,干扰DKDP晶体的生长,特别是在氘含量高的DKDP晶体中,生长难度进一步增加[1];并且DKDP晶体氘含量越高,所需重水越多,进而增加工程成本,所以在满足工程应用所需性能的前提下,尽可能的降低晶体的氘含量。目前,70%DKDP晶体作为II类三倍频晶体应用在ICF工程,但对于工程应用来说,DKDP晶体的激光损伤阈值越高越好,而现阶段,国内70%DKDP晶体的激光损伤阈值普遍小于10 J/cm2(355 nm,3 ns,R-on-1),并且很难再提高70%DKDP的激光损伤阈值,DKDP晶体中氘化率越高,激光损伤阈值反而越低[7-8],所以研究氘含量低且横向受激拉曼散射符合ICF工程应用的DKDP晶体是非常有必要;另外,提高晶体的利用率也是一个重要的研究内容,通常采用的是横向双锥法生长DKDP,能有效提高晶体II类切割的利用率[9-12]。……

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