SEM&EDS技术在集成电路失效分析中的应用和实例分析
2018-12-27周金成李亚斌李习周
电子工业专用设备 2018年6期
关键词:分析
周金成,李亚斌,李习周
(天水华天科技股份有限公司,甘肃 天水 741000)
集成电路失效分析在提高集成电路的可靠性方面有着至关重要的作用,通过对集成电路进行失效分析可以促进企业纠正设计、实验和生产过程中的问题,实施控制和改进措施,防止和减少同样的失效模式和失效机理的重复出现,预防同类失效现象再次发生。失效分析即为判断失效的模式,查找失效原因,弄清失效机理,并且预防类似失效情况再次发生[1]。我国是集成电路的消费大国,集成电路产业增长迅速(每年增长30%),塑料封装中的不良问题、失效原因种类繁多,如何采用正确的分析方法,有效确定失效问题的原因,对于封装技术、失效分析技术的提升具有现实意义,也是集成电路向高可靠性领域发展的关键。
SEM(ScanningElectronMicroscope)扫描式电子显微镜的制造依据的是电子与物质的相互作用。当一束高能的入射电子轰击物质表面时,被激发的区域将产生二次电子、俄歇电子、特征X射线和连续谱X射线、背散射电子、透射电子,以及在可见、紫外、红外光区域产生的电磁辐射。同时,也可产生电子-空穴对、晶格振动(声子)、电子振荡(等离子体)。原则上讲,利用电子和物质的相互作用,可以获取被测样品本身的各种物理、化学性质的信息,如形貌、组成、晶体结构、电子结构和内部电场或磁场等等。扫描电子显微镜正是根据上述不同信息产生的机理,采用不同的信息检测器,使选择检测得以实现。……
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