黄 正 兴， 孙 豪， 李 奇 松， 管 相 宇

（1.大连理工大学 电子信息与电气工程学部，辽宁 大连 116024；2.辽宁省集成电路技术重点实验室，辽宁 大连 116024；3.中国科学院上海光学精密机械研究所 高密度光存储实验室，上海 201800）

0 引 言

相变材料广泛应用于信息存储［1－3］、光热印刷［4－5］等技术中.对于数据存储，激光和电脉冲的相互作用使得相变材料薄膜在一个特定的结晶温度周围会发生晶态和非晶态的相变，信息位0和1的记录和读取是根据其晶态和非晶态下不同结构造成的不同反射率或者电阻率决定的［6］.相变材料领域一直在探索新的功能，比如光子器件设备，具有超分辨结构的光学掩膜（可以减少光刻掩膜层的宽度和厚度），红外探测、成像装置以及热光刻设备等［7－9］.在相变材料中，Ge-Sb-Te合金，比如 Ge2Sb2Te5、Ge1Sb2Te4、Ge1Sb4Te7［10－11］，都是在实际应用中最常见的.其中典型的Ge2Sb2Te5材料已经有了多项应用，比如具有超分辨率结构的掩膜［12］、图像印刷技术等［13］.

InSb（锑化铟）相变材料是近年来兴起的一种新型相变材料.InSb薄膜对1～5μm的波长敏感度高，此特性决定了其在红外探测领域的重要作用.早在1952年，窄禁带的相变材料InSb就已经被开发出来并逐渐开始广泛应用于红外探测器、红外雷达系统、红外热成像仪和红外天文学等［14］.InSb在所有已知的化合物半导体材料中拥有最大的电子迁移率（78 000cm2／（V·s））和电子漂移速度（106m／s），因此，InSb在 Hall传感器件中也有广泛的应用［15－16］.InSb还 被 用 来开发高速晶体管，并可降低功耗［17－18］.此外，InSb薄膜用作具有超分辨掩膜层也具有非常……