焦万丽，张 磊

(山东理工大学 材料科学与工程学院，山东 淄博 255049)

0 引 言

氧化锡是一种原材料丰富、价格低廉、无毒的宽禁带n型半导体氧化物，禁带宽度为3．65 eV，在透明导电膜、气敏传感器、光催化和太阳能转换等领域都有广泛的应用。其中最重要的用途之一就是制作气敏传感器件[1-3]。由于其气敏机理属于表面控制型，所以SnO2粉体粒径的大小、表面形貌以及比表面积的大小对气体灵敏度的影响十分重要。采用液相法制备纳米SnO2半导体氧化物颗粒的方法很多, 例如: 化学沉淀法[4]、溶胶- 凝胶法[5]、微乳液法[6]和水热法[7,8]等，其中水热法因其反应简单、操作简便、易于控制，并且成本较低被优先考虑。除零维纳米颗粒外, 其它形态的纳米材料都具有各向异性，比表面积大的特点, 因此改变纳米SnO2形貌的研究受到广大科技工作者的关注。表面活性剂一直是作为辅助控制纳米粉体形貌的一种常用的方法。而不同的表面活性剂在不同的制备工艺下，产生的影响机理也不同。贾铁昆等[9]以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为软模板，采用水热法制备了蠕虫状介孔金红石型SnO2，介孔尺寸为5．8 nm，增大了材料的比表面积，有效提高了电化学性能。Wang等[10]采用水热法，制备了ZnO-SnO2中空球及纳米片，Zhou等[11]以PEG-400为表面活性剂，采用水热法制备出由纳米棒组装形成的SnO2微球。刘程等[12]采用原位掺杂法制备了Pt-SnO2花状纳米结构，详细研究了反应物中Pt与Sn的摩尔比对花状纳米结构的影响。虽然近年来研究者们通过……