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关于Sputtering工艺在液晶TFT生产中的应用

2018-07-21

制造业自动化 2018年7期
关键词:工艺

(北京京东方显示技术有限公司,北京 100176)

0 引言

ITO为上世纪70年代得到研发的一种材料,是持有导电性及高透过度的物质,是Indium Tin Oxide的简称。常用在液晶屏的电极、有机EL屏的电极、触摸屏电极等用途。从特性上来看,该种玻璃膜层电阻率能够达到10-4Ω°cm,具有良好导电性,并且耐磨、耐腐蚀,具有较好加工性,能够达到85%的可见光透过率,红外线反射率可达80%以上,紫外线吸收率可达85%以上,微波衰减率则能达到85%以上[1]。

1 ITO薄膜形成方法

真空成膜技术分为利用粒子物理运动的物理气象成长发和利用化学反应的化学气象成长法两种。

图1 ITO薄膜形成方法分类

现阶段,国内主流液晶面板生产主要以DC Sputtering法为主流,本文重点介绍DC Sputtering法。

1.1 DC Sputtering的基本机理

在等离子的放电过程中,阳离子的阴极(靶材)撞击,通过这个能量,靶材的原材料溅射到基板上形成薄膜的方法。如图2所示,通过DC电源施加电压,阴极会释放电子,并与大气中的分子离子反应形成放电空间。等离子体放电空间中的阳离子因被施加电压加速撞击靶材,使靶材原子或分子等溅射出来并在管面经过吸附、凝结、表面扩散迁移、碰撞结合形成稳定晶核,最后附着在基板表面,形成连续状薄膜。

图2 DC Sputtering原理示意图

1.2 真空设备的功能

制作出混杂物少,贴合性好的优质ITO薄膜,需在高真空下进行。特别是Inline方式的Sputter设备,需要使Glass基板连续性的从大气中移动到真空层,再从真空层移动到大气中,为此也需要Loading,Unloading,chamber。比如loading chamber,需要使基板从高气压处移动到低气压处,即在有气压的差的空间内移动基板的目的。……

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