徐志伟，王振亚

(南京电子技术研究所， 江苏 南京 210039)

引 言

T/R组件是相控阵雷达中的最核心零部件，随着雷达向着大功率，高集成化发展，要求T/R组件同步朝着大功率、高集成、高性能方向发展[1]。这就要求T/R组件封装材料有着低密度、与组件内部陶瓷基板相匹配的热膨胀系数、高导热系数等优良性能。铝硅合金复合材料能够较好的匹配T/R组件封装材料的核心要求[2]且具有密度低、比强度及比刚度相对较高的优点，非常符合雷达T/R组件的发展需求，有着广阔的应用前景，但是由于硬度较高的增强相(Si)的加入导致该材料切削加工性能相对较差，加工效率较低，加工成本较高。

大型相控阵雷达对T/R组件的需求量巨大，T/R组件封装用壳体的制造效率和制造成本是制约T/R组件封装材料工程化应用的关键指标。目前T/R组件封装用铝硅合金壳体的制造一般采用普通加工中心等传统手段进行，因封装用铝硅合金材料增强体含量较高(CE11材料Si含量50%)可切削性较差，加工效率较低，生产成本增加明显。高速切削较传统切削具有更高的加工效率、更低的切削力、较低生产成本且可加工高硬度材料的优点[3]。针对铝硅合金的高速切削，大连理工大学及北京航空航天大学等高校做了相关研究，但其仅限于低硅铝合金(Si含量小于20%)，针对T/R组件封装用高硅铝合金的高速切削研究较少[4-5]。

本文针对由于T/R组件封装用铝硅合金材料硅含量较高(CE11硅含量50%)导致的传统加工中切削性能较差、切削效率较低、加工成本高的问题，通过三刃硬质合金端面铣刀加工CE11的高速切削试验，分析高速铣削情况下切削要素对切削温度、切削力的影响，寻找兼顾加工效率和质量的高速铣削参数。……