董一鸣，申忠科，梁正苗

密封可伐外壳的气氛氢逸散行为研究

董一鸣，申忠科，梁正苗

（南京电子器件研究所，南京 210016）

针对可伐这一重要封装材料的外壳进行了氢逸散行为的研究。对气密性封装内腔的氢来源以及氢的行为机理做了分析，发现可伐基体材料对氢含量的贡献极其重要。电镀及其施加电流是引入氢的一个重要条件，但同时镀层的存在又会大大抑制氢的逸散。

可伐外壳；氢；分析与机理

1 引言

随着微电子行业的发展，对器件可靠性的要求也在不断提升。微电子器件普遍需要进行封装后再使用，对有封装气密要求的器件，封装后内部气氛就成了与芯片等器件直接接触的部分，而对其成分和含量的控制尤为重要。其中气氛中的氢受到越来越多的关注和研究。有大量试验证明，密封结构中的氢对硅器件和砷化镓器件等都有严重危害[1～2]，如生成氢化物造成钛膜失效、引起结构应力变化、造成砷化镓器件阈值电流偏移以及使硅器件功能退化等[3]。

对密封腔内的氢，文献研究的重点偏向于失效分析以及指标控制，就氢本身逸散行为的研究很少。实际上，二氧化碳等气体作用、水汽老化等诸多表现都直接或间接与氢的行为密切相关。在材料加工以及器件制备等过程中，无可避免会引入氢，而氢的去除很困难也不可能很彻底，只能在一定指标范围内对其进行控制。在尚未发现十分有效的措施前，有必要对氢的逸散行为进行深刻的理解[4]。……