邱静君

（无锡华润矽科微电子有限公司，江苏无锡214000）

晶体管厄利电压对功放电路静态电流影响实例分析

邱静君

（无锡华润矽科微电子有限公司，江苏无锡214000）

通过对某款功放电路的静态电流随电源电压增加而快速增大的实例，分析了晶体管厄利电压对静态电流变化的影响。通过对同款电路在不同工艺平台中测试结果的对比，分析了静态电流随电源电压变化过快的现象跟晶体管参数厄利电压的相关性，并分析了浅结工艺用于制造功放电路的缺点。分析结果表明通过优化或改变工艺条件（即增加基区结深），使晶体管厄利电压增大，可以解决该款功放电路静态电流随电源电压增大增速过快的问题。

功放电路；静态电流；电源电压；基区结深；厄利电压

2 原因分析和设计改进

2.1 原因分析

对Icc的测试数据进行分析，该款电路低压下Icc不大，高压下Icc偏大，从分布数据看，A版本Icc随电源电压Vcc的增高增速过快，见图1。

图 1 I cc～V cc曲线

该款功放电路的静态电流由前置电流和功放级电流两部分组成，前置电流较小，功放级电流较大，其整体静态电流的大小基本由功放级电流决定，功放级静态电流跟输出管（N管）的Hfe大小直接相关。

根据仿真结果，该款电路静态电流为：

由N管Hfe的测试数据，根据式（1）计算得Icc的数据见表2，跟实际测试数据基本吻合。

由以上分析可以看到，Icc随Vcc的增高增速过快跟N管的Hfe随Vcc的增高而变大的速率较快有关。

2.2 拟进行的设计改进和厄利电压的影响