李 亚 玮, 胡 志 强, 徐 书 林

( 大连工业大学 新能源材料研究所, 辽宁 大连 116034 )

FTO上溅射ITO薄膜及光电性能

李 亚 玮, 胡 志 强, 徐 书 林

( 大连工业大学 新能源材料研究所, 辽宁 大连 116034 )

通过脉冲磁控溅射法在掺氟氧化锡透明导电薄膜(FTO)基底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。研究了溅射时间和衬底温度对FTO基底上制备的ITO薄膜的光透过率和电性能的影响。采用SZT-2四探针测试仪测量样品表面的电阻，用扫描电镜(SEM)对样品进行表征。结果表明，随着溅射时间的增加以及衬底温度的升高，以FTO导电薄膜为基底制备的氧化铟锡(ITO)透明导电膜的电阻逐渐减小，而后基本保持不变。在基片温度为400 ℃、溅射时间为45 min时，方块电阻最小值达到1.5 Ω。

脉冲磁控溅射；透明导电薄膜；氧化铟锡薄膜

0 引 言

近年来，随着科技的发展，导电薄膜制备的质量越来越高，其中铟锡氧化物(ITO)薄膜可见光透射率高达90%，对红外光有较强的反射系数和低电阻率，并且与玻璃有较强的附着力以及良好的耐磨性和化学稳定性，广泛应用于各种平板显示器、有机发光二极管(OLED)，触摸屏面板，汽车挡风玻璃、太阳能电池、红外辐射反射镜涂层、电磁干扰屏蔽以及大型建筑用低辐射率幕墙玻璃等领域[1]。

ITO薄膜基底一般多为玻璃、陶瓷、单晶材料等[2],近年来，国内外学者对各种基底上制备ITO薄膜进行了很多研究，也取得了一定的成果,但是由于在普通玻璃上溅射得到的ITO薄膜的电阻耐热性较差，高温电阻不稳定。为了解决这一问题，有学者提出利用FTO 薄膜的耐热性制备出FTO/ITO复合薄膜，制备的FTO/ITO复合薄膜既具有FTO薄膜的耐热性，同时又具备了ITO薄膜的低电阻特性。……