梁浩（电子科技大学，四川 成都 610054）

基于磁控溅射制备的ZnO-TFT的特性研究

梁浩（电子科技大学，四川 成都 610054）

Zno薄膜因为具有发光波长短，耐高温的性质而逐渐被科学界所关注，而磁控溅射制备ZnO-TFT的方法又是目前最为广泛，被大家所认可的技术之一。本文将介绍在磁控溅射制备存在的影响因素，以及对所得ZnO薄膜衬底材料的一些分析。

ZnO-TFT；磁控溅射；衬底材料

1 溅射过程

目前磁控溅射制备薄膜法是被大家所广为接受的方法之一。但是在实际制备的过程中，仍然存在许多的可控因素会对实验结果造成一定影响。我们分析了可能对我们的过程造成影响的部分因素，并将它们做成单一变量，进行我们的实验;

1.1 溅射功率对镀膜的影响

溅射功率的不同会导致Ar的能量不同，从而影响到金属靶位上的离子所获得的能量。在溅射功率偏小时，脱离出来的离子的初始能量较小，因此沉积速率偏低，那些沉积到衬底上的粒子因此会因为能量过低的原因而不能扩散，从而被之后的沉积的粒子覆盖，这样一来基底上成核的几率会大大缩小。当我们增加溅射功率时,按照上述过程，溅射得到的粒子所具有的动能会更大，从而能够在表面进行运动，于是有更高的可能性会在表面成核。但我们不能一味增加溅射的功率。当溅射功率增加时，虽然虽然会提供薄膜的成核率，但晶体的c轴有序性遭到破坏，并且如果薄膜的沉积率也增大，那么相同时间内被沉积的薄膜厚度也会相应变大，薄膜的透过率也会降低，这将不利于后续实验的进行（可能对薄膜的迁移率和载流子浓度会有影响）。……