基于压电雾化喷涂的光刻胶涂覆工艺及其应用研究
2017-06-05翟荣安汝长海陈瑞华朱军辉
黑龙江科学 2017年6期
翟荣安,汝长海,陈瑞华,朱军辉
(1.苏州微赛智能科技有限公司,江苏 苏州 215200;2.苏州大学机器人与微系统研究中心,江苏 苏州 215021;3.上海大学机电工程与自动化学院,上海 200072)
基于压电雾化喷涂的光刻胶涂覆工艺及其应用研究
翟荣安,汝长海,陈瑞华,朱军辉
(1.苏州微赛智能科技有限公司,江苏 苏州 215200;2.苏州大学机器人与微系统研究中心,江苏 苏州 215021;3.上海大学机电工程与自动化学院,上海 200072)
本文在自主搭建的压电雾化喷涂系统上,以RFJ-210负性光刻胶为研究对象,抛光硅片为基材,分别研究了稀释体积比、速度以及距离等喷涂工艺对光刻胶薄膜平均厚度及均匀性的影响。并以表面具有非平面凸台结构的ITO玻璃为基材,分别进行压电雾化喷涂法和旋转法涂胶,实验结果表明:压电雾化喷涂法可以在三维形貌结构表面上涂覆,克服了传统旋转法无法在三维形貌结构表面上涂胶的缺陷,验证了压电雾化喷涂法在三维形貌结构表面应用中的可行性。
负性光刻胶;压电雾化喷涂;平均厚度;均匀性;抛光硅片;凸台结构
随着微机电系统(Micro electro-mechanical systems,MEMS)和集成电路的迅速发展,光刻得到了广泛的关注,而目前适用于平面涂胶的传统旋转法已无法满足三维形貌结构上的涂胶。如在具有凸台结构或高深宽比凹槽器件上旋涂时,离心状态下的光刻胶会受到凸台结构或凹槽的阻碍而无法均匀涂覆其表面上,这些都严重影响了后续的光刻工艺步骤以及最终光刻图案的效果。……
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