高绝缘低损耗高温共烧氧化铝黑瓷研究
2017-03-07夏庆水王继刚庞学满程凯陈寰贝
电子元器件与信息技术 2017年5期
夏庆水,王继刚,庞学满,程凯,陈寰贝
(1.东南大学 材料科学与工程学院,江苏 南京210096;2.中国电子科技集团公司第五十五研究所,江苏 南京210016;3.西藏民族大学 信息工程学院,陕西 咸阳,712082)
0 引言
由于半导体集成电路常具有明显的光敏性,要求作封装管壳的氧化铝(Al2O3)陶瓷应有遮光性;此外,用于数码管衬板的Al2O3也要求呈黑色,以保证数码显示清晰。因此,黑色Al2O3陶瓷的研制与应用,对于集成电路管壳等领域[1]有着特殊的意义。其中,基于高温共烧方法制备的Al2O3黑瓷,一般采用90~95之间的Al2O3陶瓷生瓷片为基本材料,经过印刷、叠片、层压、烧结等工艺[1],不仅可得到具有遮光性的黑瓷,实现在厚膜金属化电路等领域的应用,还具有工艺简单、节省大量黄金等优点,在成本控制和简化工艺等方面表现出明显的优势[2]~[5]。
国内外针对高温共烧Al2O3黑瓷进行了广泛研究,如日本的京瓷和NTK等公司在高温共烧黑瓷方面拥有相对稳定的配方,工艺技术较为成熟。针对高温共烧黑瓷,国内主要有中国电科13所、55所、宜兴器件总厂、广东三环等公司进行了相关研究。但是相对于日本产品,在技术水平、质量等方面仍有很大差距,因此在陆海空天等重点型号装备配套中,高温共烧黑瓷产品中仍有很大比例须依赖进口。在紧张的国际形势背景下,鉴于高温共烧黑瓷产品在重点型号装备配套中的应用逐年增长[6],对产品的性能要求也越来越高,高温共烧黑瓷的国产化替代显得更加重要。
作为电子技术应用的氧化铝(Al2O3)黑瓷,黑色着色剂或色料的选择必须考虑陶瓷材料的其他性能。……
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