常压高浓度氧下调电压依赖性阴离子通道蛋白对脑缺血-再灌注损伤大鼠的保护作用
2017-02-13师文娟戚智锋刘克建
师文娟 戚智锋 刘克建
(首都医科大学宣武医院 北京市老年病医疗研究中心 脑血管病研究室,北京 100053)
· 脑血管病、认知障碍的基础及临床研究 ·
常压高浓度氧下调电压依赖性阴离子通道蛋白对脑缺血-再灌注损伤大鼠的保护作用
师文娟 戚智锋 刘克建*
(首都医科大学宣武医院 北京市老年病医疗研究中心 脑血管病研究室,北京 100053)
目的 观察常压高浓度氧治疗(normobaric hyperoxia, NBO)对脑缺血-再灌注大鼠电压依赖性阴离子通道蛋白(voltage-dependent anion channel , VDAC)以及凋亡蛋白细胞色素C(cytochrome C, CytC)和活化型半胱天冬酶-3(cleaved caspase-3)的影响,初步探讨其作用机制。方法将15只健康成年雄性SD大鼠(280~320 g)采用数字表法分为3组:假手术组(Sham)、正常氧浓度组(Normoxia)和NBO组,采用线栓法制备大鼠大脑中动脉阻塞模型,模型大鼠缺血1.5 h,再灌注24 h。Sham组和Normoxia组大鼠术后呼吸普通空气,NBO 组大鼠术后至再灌注前呼吸100%常压氧气。采用Western blotting方法,检测脑缺血半影区VDAC、CytC和cleaved caspase-3蛋白的表达变化。结果1)与Sham组相比,Normoxia组缺血侧半影区VDAC显著升高(P<0.05);与Normoxia组相比,NBO组缺血侧半影区VDAC显著降低(P<0.05);2)与Normoxia组相比,NBO组缺血侧半影区凋亡蛋白CytC和cleaved caspase-3显著减少(P<0.05)。结论NBO治疗可能通过调节缺血侧半影区电压依赖性阴离子通道蛋白VDAC的表达来抑制脑缺血诱发的细胞凋亡,从而实现脑神经保护作用。
脑缺血-再灌注;常压高浓度氧;电压依赖性阴离子通道蛋白;凋亡
线粒体是神经细胞中极为重要的细胞器,不仅对物质能量代谢和信号转导等生理活动具有重要调节作用,而且在调控神经细胞凋亡过程中起决定性作用。线粒体外膜电压依赖性阴离子通道蛋白(voltage-dependent anion channel, VDAC)是线粒体依赖性凋亡过程中的关键蛋白,与细胞生存密切相关[1-2]。研究[3]显示缺血缺氧后VDAC表达上调,严重影响线粒体的正常功能,因此有效调控VDAC蛋白的表达及其功能,对于减轻缺血损伤具有重要意义。……
