张志强，袁永锋，郭绍义，林金鑫，戎 泽

(浙江理工大学机械与自动控制学院，杭州 310018)

聚吡咯包覆CoMoO4纳米片自组装多孔柱阵列的制备及其赝电容性能研究

张志强，袁永锋，郭绍义，林金鑫，戎 泽

(浙江理工大学机械与自动控制学院，杭州 310018)

采用水热法结合电化学聚合技术在泡沫镍上生长聚吡咯包覆的CoMoO4纳米片自组装多孔柱阵列。通过XRD、FTIR和SEM分析产物的组成与结构，发现产物呈现聚吡咯包覆CoMoO4纳米片自组装多孔柱阵列的复合结构。通过恒流充放电、循环伏安法研究CoMoO4的超电容性能，在电流密度为100 mA·g-1的条件下，包覆CoMoO4的比电容为1205 F·g-1；在200 mA·g-1充放电循环3000次后，比电容值仍保持为初始值的85.7%，是未包覆CoMoO4材料的1.6倍，聚吡咯包覆CoMoO4纳米片自组装多孔柱阵列具有良好的赝电容特性和循环稳定性。

CoMoO4；聚吡咯；电化学聚合；超级电容器

0 引 言

超级电容器是一种介于普通电容器和电池之间的储能装置，相对于传统的储能方式，超级电容器具有能量密度高、循环寿命长和安全系数高等优点。其中，过渡金属氧化物由于其自身的氧化还原特性能形成较高的赝电容，因而成为超级电容器电极材料的研究重点。在众多过渡金属氧化物中，CoMoO4具有制备条件简单、生产成本低、环境友好等特点。但由于CoMoO4具有棒状，纳米线阵列等不同形态，在充放电过程中因体积效应易发生粉化，从而导致倍率性能差、比电容达不到实际要求和循环稳定性不高等问题[1-4]。目前解决这些问题的方法主要是引入其他导电材料组成复合材料。……