赵益诚，陈贺，晁明举

（1.郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室，河南郑州450052；2.郑州外国语新枫杨学校，河南郑州450001）

Al／Y2W3O12复合材料的制备、热膨胀及电性能研究

赵益诚1，陈贺2，晁明举2

（1.郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室，河南郑州450052；2.郑州外国语新枫杨学校，河南郑州450001）

采用固相法制备Al／Y2W3O12复合材料，研究了Al与Y2W3O12以不同质量比合成样品的特性。X射线衍射表明：样品只含有Al和Y2W3O12，不存在Al对Y的取代。SEM和EDS分析表明：小颗粒Y2W3O12嵌入在块状Al基底中，为嵌入式复合结构。热膨胀性能和电导率测试分析表明：当Al与Y2W3O12的质量比7∶3时，Al／Y2W3O12样品的线膨胀系数14.76×10－6／K（RT～600℃）约为Al的一半，呈现良好的导电性，其导电率为18.2 S／m可达Al的电导率的1／2，且Al／Y2W3O12样品几乎不表现出吸水性。研究认为，该复合材料具有低膨胀和较高导电性是由于其特有的嵌入式结构所致。

负热膨胀；Al／Y2W3O12复合材料；膨胀系数；电导率

0 引言

热膨胀导致的零部件尺寸变化一直是航空航天、精密测量、光电子、IT等应用领域中的一个难题。负热膨胀材料的发现为解决此问题提供了契机。近年来，采用负热膨胀材料与常用材料复合制备近零膨胀或可控膨胀材料已成为材料制备中的热点之一。负热膨胀材料与常用材料的复合研究有：负热膨胀材料与金属复合［1～9］、负热膨胀材料与陶瓷复合［10］、负热膨胀材料与高分子材料复合［11］等。其中，负热膨胀材料与金属复合在集成电路和芯片封装技术方面可望获得突破性进展，能够满足对封装材料散热、导电、低膨胀及与硅基热匹配的要求［12］。……