卢晓丰，李飞，孙周洲

（苏州大学物理与光电·能源学部，江苏苏州215006；江苏省薄膜材料重点实验室，江苏苏州215123）

含有缺口的铁磁纳米线中畴壁的钉扎效应

卢晓丰，李飞，孙周洲*

（苏州大学物理与光电·能源学部，江苏苏州215006；江苏省薄膜材料重点实验室，江苏苏州215123）

研究了磁纳米线中头对头畴壁在缺口处关于钉扎场的问题。采用微磁学软件模拟了当施加外磁场后，钉扎场与缺口的几何尺寸以及相对位置的变化情况。研究发现当缺口宽度与纳米线宽度比一定时，钉扎场的大小随着纳米线宽度的增加而减小，并且缺口的长度越长，钉扎效应越明显。除此之外，还讨论了缺口的相对钉扎位置与钉扎场的关系。最后讨论了畴壁的手性对钉扎效应的影响。

磁畴壁；缺口；钉扎场

近年来，铁磁纳米线中的磁畴壁运动由于其在信息存储器件和传感器等方向的应用前景引起了广泛的关注[1-2]。在电子器件制造业中，了解和控制这些器件内部的磁畴壁位置和保持畴壁运动的稳定性对于数据读写具有举足轻重的地位。但是在实际生产中，由于环境、材料、不可抗力和人为等原因，应用中的纳米线往往会出现瑕疵和缺陷，所以研究含有缺陷的磁畴壁运动对于磁应用行业是很有意义的。有研究表明，纳米线厚度不均匀和几何压缩即会导致畴壁限制在特定的位置上，称之为钉扎效应[3-4]。例如，Bruno认为钉扎效应只会出现在纳米线中较窄的位置上[5]，缺口的存在总是能把畴壁限制在此特定的位置上[6-9]，从而影响正常的数据读写。……