辛晓宁，张雷

（沈阳工业大学辽宁沈阳110870）

一种宽输入电压范围高PSRR线性稳压器

辛晓宁，张雷

（沈阳工业大学辽宁沈阳110870）

基于HHNEC BCD工艺，设计了一种输入电压范围为5.4～40V，输出电压为5V的线性稳压器。为了获得高电源电压抑制比，电路采用二级稳压结构，基于耗尽型MOS管的预稳压器将输入电压稳压到5.2V，再使用一种输出端接2.2 μF电容的低压差稳压器（二次稳压器）得到最终输出电压5V。Hspice仿真表明，PSRR在100kHz以下时优于-90 dB，在1 MHz以下时优于-70 dB。

二级稳压；宽输入范围；高电源电压抑制比

线性稳压器是一种应用广泛的芯片，其作用是为系统提供稳定的工作电源。许多应用领域的输入电压范围很宽，例如，工业自动化领域的两线制仪表和各种现场总线仪表的典型供电电压范围为9～32V，且系统需要利用电源线传输信号，要求系统内部的高精度电路不受供电电源和高频信号影响。在此类系统中，稳压器的输出电流一般只需要几十毫安，最重要的性能指标是电源电压抑制比（PSRR）。典型低压差稳压器（LDO）的输入电压范围较窄，高频区的PSRR比较低［1-4］。目前，只有少数国外厂家［5-6］能够提供宽输入范围、高PSRR的产品。目前，国内BCD工艺已可提供多种高耐压器件，可以解决耐高压问题，文中基于HHNEC的BCD工艺提出了一种新的设计方案。

在典型的LDO结构中，要提高PSRR，需要提高误差放大器的开环增益，但这将影响系统的稳定性。为保证稳定性，需要采用频率补偿措施，而任何频率补偿都不可避免地会降低高频环路增益，因此普通LDO结构在高频区的PSRR很难提高。……