陈凤翔，许伟康，汪礼胜

（武汉理工大学理学院物理科学与技术系，湖北武汉 430070）

缺陷周围载流子分布的时域GUI演示

陈凤翔，许伟康，汪礼胜

（武汉理工大学理学院物理科学与技术系，湖北武汉 430070）

半导体材料中的微量缺陷能够在很大程度上影响其光电特性，不同类型的缺陷造成的影响也不一样.本文以数学物理方法中的差分解法为基础，对半导体物理中的连续性方程进行离散处理，同时借助Matlab中的GUI界面作为演示工具，分别展示了局域光照和均匀全域光照下，点缺陷、线缺陷对半导体中非平衡载流子空间分布的影响.通过相关参数的选择设置及物理图像的演示，可以让学生了解数学物理方法的应用，同时在半导体物理课程学习中获得更直观的学习体验.

缺陷；载流子浓度；时域演化；扩散长度

在晶体中，原子或者是离子、分子在空间周期性重复排列［1］，但任何实际晶体中都会有不完整的地方，称为缺陷.缺陷主要分为点缺陷、线缺陷和面缺陷.对于半导体材料而言，极微量的缺陷，也能够对其物理性质和化学性质产生决定性的影响［2］.晶体缺陷的产生、发展、运动和相互作用、以至于聚集或消失决定性地影响晶体的基本物理性质［3］，尤其在晶体的光电性能研究中扮演了主要角色.大部分与半导体物理学相关的教材中都给出了光注入后过剩载流子的空间分布模型和公式，也讨论了其运动模式和影响参数.但若是半导体材料中存……