邓　坚， 汪　正， 谢长君， 全书海

(武汉理工大学自动化学院， 湖北 武汉 430070)



基于Simplorer驱动电阻对IGBT特性影响研究

邓坚， 汪正， 谢长君， 全书海

(武汉理工大学自动化学院， 湖北 武汉 430070)

驱动电阻对IGBT特性有直接关系，针对大多数仿真软件对IGBT模型的建立不够准确，采用Ansys公司的Simplorer对IGBT进行参数化建模，并用双脉冲测试方法来对IGBT搭建外围电路。重点分析栅极驱动电阻对IGBT的电压变化率和通断延时的关系，分析表明驱动电阻与IGBT电压变化率和开通延时时间的关系成线性关系。对驱动电阻阻值不同的驱动电路对IGBT进行仿真，仿真结果符合理论推导。因此，选择大小恰当的驱动电阻对IGBT使用具有一定工程意义。

绝缘栅双极晶体管；双脉冲测试；驱动电阻

绝缘栅双极晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是GTO(Giant Transistor)和MOSFET二者通过适当结合而成的复合器件，由于自身优异的性能，IGBT自1986年就得到广泛的应用，尤其适用于电压为600V以上，要求大电流的电力电子应用领域。但IGBT的动态特性直接影响到所设计电路的稳定态和动态性能，因此研究IGBT的动态特性对于开关电源设计具有重要的价值[1]。

IGBT主要参数从厂家提供的规格说明书中获得，比如电压上升、下降时间、开断损耗等，但是提供的参数往往是厂家在特定的条件下测的部分数据，不能满足实际运行中的要求。其中，驱动电阻的选择对IGBT工作特性有直接的作用。文献[2]提出变电阻开断方法，采用两级变电阻或三级变电阻开通、关断，有一定的工程实用价值。国外学者Yanick Lobsiger对IGBT的du/dt和di/dt进行检测形成闭环控制来决定驱动电阻，但对IGBT的非线性寄生参数的考虑不够[3]。……