李　彤，EVARIST Mariam，王铁钢，陈佳楣，范其香，倪晓昌，赵新为,3

(1.天津职业技术师范大学 电子工程学院，天津　300222；2.天津职业技术师范大学 天津市高速切削与精密加工重点实验室，天津　300222；3.东京理科大学 物理系，日本 东京)



氧气含量对射频磁控溅射方法制备的NiO∶Cu/ZnO异质pn结的光电性能的影响

李彤1*，EVARIST Mariam1，王铁钢2，陈佳楣1，范其香2，倪晓昌1，赵新为1,3

(1.天津职业技术师范大学 电子工程学院，天津300222；2.天津职业技术师范大学 天津市高速切削与精密加工重点实验室，天津300222；3.东京理科大学 物理系，日本 东京)

利用磁控溅射方法改变氧气含量制备了一系列NiO∶Cu/ZnO异质pn结。 实验结果表明，氧含量对NiO∶Cu/ZnO异质pn结电学影响很大。 相对于纯氩溅射，引入一定氧气(O2/(Ar+O2)比例为30%)后，NiO∶Cu/ZnO异质pn结的整流特性明显得到改善。与此同时，NiO∶Cu/ZnO异质pn结的光透过率也从40%增大到80%。这可能是由于氧气的轻量引入致使NiO∶Cu/ZnO异质pn结的结晶得到改善，薄膜内缺陷减少所致。进一步提高氧气含量，直到O2/(Ar+O2)比例至80%后，异质结的整流特性有所削弱，这可能是由于过多氧气的引入造成薄膜缺陷再次增多，进而影响到异质结的整流特性。这一结论得到了EDS、XRD、AFM和UV结果的支持。

NiO；Cu掺杂；异质pn结；磁控溅射；整流特性

*Corresponding Author,E-mail:59815668@qq.com

1　引　　言

作为强关联材料之一的氧化镍(即NiO)，因为其d(f)电子内部电荷、轨道、自旋3个自由度相互作用，使得NiO表现出很多各种不同的特性，这些特性使得NiO呈现多方面的应用前景[1-5]。在NiO众多特性中，需要提到的是，它是典型的p型宽禁带半导体，室温下NiO的带隙宽度为3.0～4.0 eV。然而到现在，对于NiO的半导体光学特性的报道还很少[6-7]。……