赵巧云

（中国电子科技集团公司第四十六研究所，天津，300220）

砷化镓材料发展状况概述

赵巧云

（中国电子科技集团公司第四十六研究所，天津，300220）

砷化镓广泛应用于光电子和微电子领域，是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。与硅单晶一样，砷化镓衬底正逐步向大尺寸、高几何精度、高表面质量方向发展。目前，日本住友电工、美国AXT代表着国际领先水平；中科晶电、晶明公司代表着国内的先进水平。未来几年，是国内企业研发6英寸产品，向国际水平冲击的重要时期。

砷化镓；半导体发光二极管；衬底材料

砷化镓（GaAs）是目前最重要、最成熟的化合物半导体材料之一，广泛应用于光电子和微电子领域。GaAs材料主要分为两类：半绝缘砷化镓材料和半导体砷化镓材料。半绝缘砷化镓材料主要制作 MESFET、 HEMT和HBT结构的集成电路。主要用于雷达、微波及毫米波通信、超高速计算机及光纤通信等领域。半导体砷化镓材料主要应用于光通信有源器件（LD）、半导体发光二极管（LED）可见光激光器、近红外激光器、量子阱大功率激光器和高效太阳能电池。

1　国外技术发展现状和发展趋势分析

随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，砷化镓材料总的发展趋势是晶体大直径，长尺寸化。2000年已研制出8英寸LEC砷化镓单晶抛光片，2002年研制出8英寸VGF砷化镓单晶抛光片及8英寸VGF砷化镓外延片，2006年制定出8英寸砷化镓抛光片SEMI M9.8标准。材料的发展路线图见图1。最大应用商品为6英寸。由于8英寸砷化镓器件生产线投入太大，且没有市场需求，造成了8英寸砷化镓衬底没有形成量产。……