薛　红

(渭南师范学院 数理学院,陕西 渭南 714099)



【现代应用技术研究】

半绝缘GaAs半导体开关的传输特性研究

薛红

(渭南师范学院 数理学院,陕西 渭南 714099)

通过实验及理论分析，对半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关的光电性能和传输特性进行了研究。在不同的偏置电压条件下，开关将输出两种不同模式的电脉冲并存在振荡效应，认为：导致输出电脉冲振荡效应的主要原因是光电导振荡现象；当外界光电条件一定，开关电极间隙越小，输出电脉冲上升时间越短，输出功率越大。为了提高开关的上升时间和输出功率，必须使光电导开关工作在饱和状态。

光电导开关；电脉冲；振荡效应；功率

半导体光电导体开关(Photoconductive Semiconductor Switch，简称 PCSS)是超快脉冲激光器与半绝缘GaAs、InP、ZnSe和金刚石等化合物半导体材料相结合而发展起来的一种新型固态半导体开关器件，是通过超快脉冲光注入方式产生载流子，而对材料的电阻率控制来实现器件功能的。其工作原理是利用半导体的本征耐压特性或pn结反向耐压特性，使半导体开关能够承受高电压，然后以光注入或电注入的触发方式，在极短的时间内产生大量的非平衡载流子，致使开关得以导通。这种光电导开关具有可靠性高、使用寿命长、工作频率高等优点，具有传统高功率脉冲器件不具备的优良性能，广泛地应用于高功率微波、超快电子学等领域，在产生高功率脉冲领域有很大发展潜力[1]。迄今为止，GaAs仍是制作光导开关的主流材料，已有许多用532 nm、780 nm、876 nm、900 nm、1 064 nm和1 530 nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的研究报道[2-11]。……