缺陷方向对基于GMR的电涡流缺陷检测的影响*
2016-09-08王立玢
传感器与微系统 2016年9期
王 超, 王立玢, 丛 正, 王 凯
(天津大学 电气与自动化工程学院,天津 300072)
缺陷方向对基于GMR的电涡流缺陷检测的影响*
王超, 王立玢, 丛正, 王凯
(天津大学 电气与自动化工程学院,天津 300072)
由于电涡流缺陷检测多采用单方向激励方式,而实际检测中缺陷的方向是未知的,从而造成检测灵敏度不确定。针对此情况设计以巨磁电阻(GMR)传感器为检测元件的矩形线圈激励的检测探头,以矩形缺陷为研究对象,从定性和定量两个角度仿真对比了在同一激励方向下,不同方向缺陷引起的磁感应强度变化,发现缺陷方向平行于激励线圈轴线时能更好地体现缺陷,在此基础上,对不同方向缺陷进行扫描实验,将测量数据扫描曲线进行对比发现,当缺陷方向平行于激励线圈轴线时曲线峰值较大且峰值位置明显,能更清晰地反映缺陷信息。
缺陷方向; 电涡流检测; 巨磁电阻; 矩形线圈
0 引 言
矩形激励线圈由于磁场分布均匀、受提离影响较小而广泛应用于电涡流缺陷检测中[1~4]。电涡流缺陷检测的灵敏度不仅受激励强度和检测元件的影响,也取决于缺陷与电涡流之间的相互作用[5]。检测中采用矩形线圈的单方向激励方式时,由于被测缺陷方向是未知的,缺陷的检测效果会受到影响。
很多学者针对缺陷方向和检测效果之间的关系开展了研究。Nagata S等人对比了缺陷长边垂直于和平行于电涡流时被阻隔的情况,分析指出缺陷检测的效果取决于缺陷和电涡流之间的角度[6]。……
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