冯彬，潘宏菽

（河北半导体研究所，河北　石家庄　050051）



改善微波功率器件可靠性的方法

冯彬，潘宏菽

（河北半导体研究所，河北石家庄050051）

微波功率器件因其具有体积小、可靠性高等优点而被广泛地运用在了微波通讯系统、遥测系统、雷达、电子对抗和导航等领域。但是，由于硅微波双极功率器件的结比较浅、基区比较窄，因而其击穿电压往往较低，从而对器件的大功率输出和抗烧毁能力造成了一定的不利影响。因此，从提高击空电压、镇流电阻设计、降低基区电阻设计、预匹配的选择和宽带半导体材料的采用等方面对提高硅微波双极功率器件的可靠性的具体措施进行了研究，对于改善硅微波双极功率器件的性能、提高其可靠性具有重要的指导意义。

微波；功率晶体管；浅结；镇流电阻；击穿电压；预匹配

0　引言

导通电阻低、输出功率大的特点使得双极功率器件在功率电子和微波大功率等方面得到了广泛的应用，虽然随着金属-氧化物-半导体 （MOS： Meta1-Oxide-Semiconductor）器件的不断进步，出现了代替双极器件的趋势，但是，MOS器件导通损耗随功率的增大而增加的问题，限制了其应用范围。由于硅微波双极功率器件的结比较浅 （一般在亚微米量级）、基区比较窄，因而造成了其击穿电压低，对器件的大功率输出和抗烧毁能力不利。提高硅双极微波功率器件的击穿电压和电流能力，是提升器件的性能的主要措施，目前看主要是采用适宜的结终端技术来提高器件的击穿电压，采用优化器件结构、降低器件饱和压降、提高器件二次击穿耐量来提高器件的电流能力和抗烧毁能力。……