Fe3O4/PDMS复合材料磁电容微弱信号检测电路的设计*
2016-08-18张晓明沈丹丹吕忆玲王天宇
电子器件 2016年3期
关 洋,张晓明,2*,沈丹丹,吕忆玲,王天宇
(1.中北大学电子测试技术国防科技重点实验室,太原030051;2.中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原030051)
Fe3O4/PDMS复合材料磁电容微弱信号检测电路的设计*
关洋1,张晓明1,2*,沈丹丹1,吕忆玲1,王天宇1
(1.中北大学电子测试技术国防科技重点实验室,太原030051;2.中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原030051)
针对Fe3O4/PDMS复合材料磁电容信号变化微弱,检测困难的问题,设计了一种基于充放电法的微小电容检测电路。详细论述了组成该电路的脉冲激励模块、C-V转换模块、信号调理模块及载波调解模块的原理及功能,同时搭建硬件平台对复合材料磁电容进行实验验证。通过对Fe3O4/PDMS纳米复合材料磁电容平行板结构进行测试实验,结果表明:在pF级范围内进行测试,检测电路的输出线性度较好,电路的标度因数与理论值相差较小。测试电路具有响应快速、外部电路简单、易于集成、稳定好、成本低等优点。
Fe3O4/PDMS复合材料;充放电法;脉冲激励模块;C-V转换模块;信号调理模块;载波调解模块
微型磁传感器以其微小尺度性、可集成制造性、低功耗特性、高可靠性以等优点顺应了磁传感器的发展趋势,是弱磁场传感器技术发展和研究的热点[1]。现阶段较高精度的微型磁传感器主要为AMR、GMR和TMR等磁阻传感器,该类传感器是通过磁场作用下材料阻值变化来敏感磁场的,但磁敏材料的电阻值受温度变化影响,限制了其在宽温度范围环境中的应用,同时磁敏材料的磁滞特性会导致传感器在高频变化磁场中零点和灵敏度参数产生漂移[2]。……
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