何 超，王英民，李 斌，徐 伟，郝唯佑

（中国电子科技集团公司第二研究所，山西太原030024）

SiC晶片加工技术现状与趋势

何 超，王英民，李 斌，徐 伟，郝唯佑

（中国电子科技集团公司第二研究所，山西太原030024）

SiC单晶材料作为第三代半导体衬底材料，在制作高频、大功率电子器件等领域有着广泛的应用前景，而SiC加工技术对制作衬底材料起到决定作用。介绍了SiC国内外加工技术的研究现状，分析和对比了切割、研磨、抛光加工工艺的机理及晶片平整度、粗糙度的变化趋势，并指出SiC单晶片加工过程中存在的问题和未来的发展趋势。

SiC晶片；加工技术；平整度；粗糙度

宽禁带半导体材料碳化硅SiC单晶因其优异的性能在制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成电子器件等方面得到了广泛的应用，发展SiC器件成为电子产业发展的趋势，现己成为国际关注的焦点。目前，SiC器件的发展已经取得一定成效，但高质量SiC衬底的产量一直很低，主要受SiC单晶加工技术的制约。SiC单晶的硬度极高，化学稳定性高，传统加工半导体材料的方法不完全适用于SiC单晶的加工。国际上各专业公司已对SiC单晶加工的高难度技术进行了大量研究，但对相关技术严格保密。近年来，我国加强了SiC单晶材料和器件的研制，而SiC加工技术和晶片的质量制约着我国SiC器件的发展，国内必须提升SiC加工技术来提高SiC单晶衬底的质量，实现衬底的实用化和批量化。

SiC晶片的加工过程与传统半导体单晶材料的加工过程类……